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电力电子器件专辑

电力电子器件是电力电子技术的基础，它的应用广泛，并且在各种电力设备中起着至关重要的作用。
本文集整理了常见电力电子器件（如：二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件）基础理论及应用参考书籍，还有第三代半导体器件（如：碳化硅和氮化镓）的研究著作。

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电力半导体器件原理与应用: 标签：电力半导体; 积分：1 类型：技术文档上传者：sigma上传时间：2022-03-12; 简介：《电力半导体器件原理与应用》力求从电力半导体器件应用的角度来诠释和分析其基本原理和应用特性。全书共分为8章，第1章主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途；第2章介绍半导体器件物理基础，包括半导体与导体、绝缘体，原子中的电子能级，晶体中的能带等；第3章阐述双极型电力半导体器件基本原理，包括单pn结器件及多pn结特性；第4章介绍单极型及混合型器件电力半导体器件基本原理，涉及结型场效应器件、静电感应器件、功率mosfet器件、混合型器件igbt和混合型器件igct等；第5章叙述电力半导体器件的特性和参数，包括双稳态和双瞬态的基本工作状态，通态特性、阻态特性、开通过程、关断过程、触发特性以及系统安全工作区等；第6章重点分析了电力半导体器件应用特性，包括电力半导体器件的串、并联使用、电力半导体器件可靠性和失效分析以及电力半导体器件的保护等；第7章进一步分析了变换器中电力半导体器件应用特性，着重考虑电力半导体器件与变换器中其他因素之间的关系；第8章介绍适用于变换器仿真的电力半导体器件建模，以为变换器主回路优化设计所用。《电力半导体器件原理与应用》可作为电机系统及其控制、电力电子与电力传动等学科研究生专业课程的参考书，也可供从事电力电子技术应用的科技人员和有关科技管理人员参考。电力电子新技术系列图书序言前言第1章绪论1 1.1 电力半导体器件的基本功能和用途1 1.2 电力半导体器件的基本分类和应用3 1.2.1 按照电力半导体器件控制特性分类3 1.2.2 按照电力半导体器件发展分类5 1.2.3 按照电力半导体器件驱动方式分类5 1.2.4 按照电力半导体器件中载流子性质分类6 1.3 di/dt和du/dt在电力半导体器件中的特殊意义8 1.4 电力半导体器件的发展11 参考文献16 第2章半导体器件的物理基础17 2.1 半导体与导体、绝缘体17 2.2 原子中的电子能级19 2.2.1 孤立原子中的电子能级19 2.2.2 两个原子之间的共价键22 2.3 晶体中的能带24 2.3.1 晶体中的能级——能带24 2.3.2 晶体中的禁带宽度27 2.3.3 半导体的晶体结构28 2.4 本征半导体与杂质半导体32 2.4.1 电子与空穴33 2.4.2 费米?狄拉克分布35 2.4.3 从本征半导体到杂质半导体37 2.4.4 杂质半导体的关键参数41 2.5 半导体中的载流子运动44 2.5.1 电离与复合45 2.5.2 布朗运动45 2.5.3 漂移运动46 2.5.4 扩散运动48 参考文献49 第3章双极型电力半导体器件基本原理51 3.1 单pn结器件运行原理51 3.1.1 pn结的基本结构51 3.1.2 平衡条件下的pn结53 3.1.3 偏置条件下的pn结56 3.2 pn结的运行特性62 3.2.1 pn结的击穿与穿通62 3.2.2 pn结的电容效应65 3.2.3 pn结器件的电路特性66 3.3 pin器件运行原理67 3.3.1 pin二极管基本结构和正偏置下的行为67 3.3.2 pin二极管的恢复特性70 3.4 三层两结器件运行原理72 3.4.1 双极晶体管的基本结构72 3.4.2 双极晶体管中pn结的相互作用74 3.5 四层三结器件运行原理76 3.5.1 晶闸管的基本结构77 3.5.2 晶闸管的基本工作原理78 3.5.3 gto的基本结构和基本工作原理82 参考文献83 第4章单极型及混合型电力半导体器件基本原理85 4.1 肖特基势垒器件85 4.1.1 肖特基势垒85 4.1.2 肖特基二极管的基本结构88 4.1.3 肖特基二极管的基本工作原理89 4.2 结型场效应器件和静电感应器件92 4.2.1 结型场效应晶体管的基本结构93 4.2.2 结型场效应晶体管的基本工作原理94 4.2.3 静电感应晶体管的基本结构和工作原理97 4.2.4 静电感应晶闸管的基本结构和工作原理99 4.3 功率mosfet102 4.3.1 mos结构102 4.3.2 mosfet的基本结构104 4.3.3 mosfet的基本工作原理105 4.3.4 功率mosfet108 4.4 混合型器件igbt110 4.4.1 igbt的基本结构110 4.4.2 igbt的基本开关原理113 4.4.3 igbt结构的一些演变115 4.5 混合型器件igct118 4.5.1 igct的基本结构118 4.5.2 igct的工作原理120 参考文献122 第5章电力半导体器件的特性和参数124 5.1 双稳态和双瞬态的基本工作状态124 5.1.1 特性与参数关系124 5.1.2 双稳态与双瞬态126 5.1.3 额定值与特征值127 5.2 通态特性及其参数129 5.2.1 单极型器件的通态特性与参数129 5.2.2 双极型和混合型器件的通态特性与参数131 5.2.3 通态中的电阻及并联特性133 5.3 阻态特性及其参数135 5.3.1 器件的阻态特性及其参数135 5.3.2 阴极(阳极)短路发射极结构137 5.3.3 穿通与击穿137 5.4 开通过程及参数140 5.4.1 器件开通的物理过程140 5.4.2 典型器件的开通过程142 5.4.3 放大门极结构(ag)145 5.5 关断过程及其参数146 5.5.1 器件关断的物理过程146 5.5.2 典型器件的关断特性149 5.5.3 反向恢复特性151 5.6 触发的类型和特性152 5.6.1 触发过程的物理现象及参数152 5.6.2 典型器件的触发特性及其参数154 5.7 器件特性及系统安全工作区158 5.7.1 电力半导体器件特性对比158 5.7.2 变换器系统安全工作区161 参考文献164 第6章电力半导体器件应用特性分析165 6.1 电力半导体器件的串、并联使用165 6.1.1 电力半导体器件的并联使用166 6.1.2 电力半导体器件的串联使用171 6.2 电力半导体器件可靠性和失效分析178 6.2.1 电力半导体器件可靠性概述178 6.2.2 电力半导体器件失效分析180 6.2.3 igbt的失效分析182 6.2.4 igct的失效分析187 6.3 电力半导体器件的保护194 6.3.1 电力半导体器件保护简述194 6.3.2 igbt的保护195 6.3.3 igct的保护199 参考文献203 第7章变换器中电力半导体器件应用特性分析205 7.1 电力电子变换器的基本换流行为205 7.1.1 变换器的常用拓扑结构206 7.1.2 理想基本拓扑单元及换流行为210 7.1.3 基于电力半导体特性的变换器换流行为214 7.2 吸收电路关键参数设计及优化219 7.2.1 线性吸收电路的假设和定义219 7.2.2 线性吸收电路的参数优化和分析222 7.2.3 igbt吸收电路226 7.2.4 igct吸收电路229 7.3 电力半导体器件特性的相互影响范例分析232 7.3.1 基于igct的三电平逆变器基本换流方式233 7.3.2 三电平逆变器中器件稳态特性相互影响235 7.3.3 三电平逆变器中器件暂态特性相互影响238 参考文献242 第8章适用于变换器仿真的电力半导体器件建模244 8.1 变换器仿真中的电力半导体器件建模244 8.1.1 对变换器仿真的基本理解244 8.1.2 变换器中器件建模分类246 8.1.3 半导体器件的基本物理现象247 8.1.4 半导体器件的基本仿真方法249 8.2 适用于变换器仿真的igbt模型250 8.2.1 igbt工作机理数学描述251 8.2.2 igbt模型的参数提取和模型实现254 8.2.3 实验和仿真256 8.2.4 igbt模型的应用257 8.3 适用于变换器仿真的igct模型260 8.3.1 igct功能型模型简述260 8.3.2 igct模型结构和参数求解260 8.3.3 igct仿真与实验对比264 8.3.4 igct模型的应用266 8.4 变换器中的开关器件损耗计算以及热路分析270 8.4.1 器件损耗及热阻模型270 8.4.2 基于igbt的两电平变换器损耗分析范例273 8.4.3 基于igct的三电平变换器损耗分析范例277 8.4.4 不同封装器件热路分析对比280 参考文献282

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宽禁带半导体电力电子器件及其应用 PDF高清电子版: 标签：电力电子半导体碳化硅氮化镓; 积分：1 类型：技术文档上传者：sigma上传时间：2023-09-20; 简介：《宽禁带半导体电力电子器件及其应用》陈治明,李守智编著《宽禁带半导体电力电子器件及其应用》介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MESFET、BJT、SICGT、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。《宽禁带半导体电力电子器件及其应用》介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。

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功率半导体器件基础巴利加著 PDF电子版: 标签：功率半导体; 积分：1 类型：技术文档上传者：sigma上传时间：2023-09-20; 简介：《功率半导体器件基础》B. Jayant Baliga（ B.贾扬.巴利加）著，韩郑生等译。《功率半导体器件基础》系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物理机理、设计原则及应用可靠性，内容以硅功率半导体器件为主，同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书首先从基本半导体理论开始，依次介绍了各类常用的功率半导体器件，采用物理模型分析及数值模拟验证结合的方式，辅助大量详实的图表数据，帮助读者全面透彻理解功率半导体器件的特性。

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Fundamentals of Power Semiconductor Devices (B. Jayant Baliga): 标签：功率半导体; 积分：1 类型：技术文档上传者：sigma上传时间：2023-09-20; 简介：Fundamentals of Power Semiconductor Devices，中文：功率半导体器件基础，作者：B. Jayant Baliga Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment here focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices. The book will appeal to practicing engineers in the power semiconductor device community.

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功率半导体器件——原理、特性和可靠性: 标签：开关电源 IGBT; 积分：1 类型：技术文档上传者：sigma上传时间：2022-02-24; 简介：本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。译者的话原书第2版序言原书第1版序言常用符号第1章功率半导体器件——高效电能变换装置中的关键器件1 11装置、电力变流器和功率半导体器件1 111电力变流器的基本原理2 112电力变流器的类型和功率器件的选择3 12使用和选择功率半导体6 13功率半导体的应用8 14用于碳减排的电力电子设备11 参考文献14 第2章半导体的性质17 21引言17 22晶体结构19 23禁带和本征浓度21 24能带结构和载流子的粒子性质24 25掺杂的半导体28 26电流的输运36 261载流子的迁移率和场电流36 262强电场下的漂移速度42 263载流子的扩散，电流输运方程式和爱因斯坦关系式43 27复合产生和非平衡载流子的寿命45 271本征复合机理47 272包含金、铂和辐射缺陷的复合中心上的复合48 28碰撞电离64 29半导体器件的基本公式70 210简单的结论73 2101少数载流子浓度的时间和空间衰减73 2102电荷密度的时间和空间衰减74 参考文献75 第3章pn结80 31热平衡状态下的pn结80 311突变结82 312缓变结87 32pn结的IV特性90 33pn结的阻断特性和击穿97 331阻断电流97 332雪崩倍增和击穿电压100 333宽禁带半导体的阻断能力108 34发射区的注入效率109 35pn结的电容115 参考文献117 功率半导体器件——原理、特性和可靠性（原书第2版）目录第4章功率器件工艺的介绍119 41晶体生长119 42通过中子嬗变来调节晶片的掺杂120 43外延生长122 44扩散124 441扩散理论，杂质分布124 442掺杂物的扩散系数和溶解度130 443高浓度效应，扩散机制132 45离子注入134 46氧化和掩蔽138 47边缘终端140 471斜面终端结构140 472平面结终端结构142 473双向阻断器件的结终端143 48钝化144 49复合中心145 491用金和铂作为复合中心145 492辐射引入的复合中心147 493Pt和Pd的辐射增强扩散149 410辐射引入杂质150 411GaN器件工艺的若干问题151 参考文献155 第5章pin二极管160 51pin二极管的结构160 52pin二极管的IV特性161 53pin二极管的设计和阻断电压162 54正向导通特性167 541载流子的分布167 542结电压169 543中间区域两端之间的电压降170 544在霍尔近似中的电压降171 545发射极复合、有效载流子寿命和正向特性173 546正向特性和温度的关系179 55储存电荷和正向电压之间的关系180 56功率二极管的开通特性181 57功率二极管的反向恢复183 571定义183 572与反向恢复有关的功率损耗189 573反向恢复：二极管中电荷的动态192 574具有最佳反向恢复特性的快速二极管199 575MOS控制二极管208 58展望213 参考文献214 第6章肖特基二极管216 61金属半导体结的能带图216 62肖特基结的IV特性217 63肖特基二极管的结构219 64单极型器件的欧姆电压降220 641额定电压为200V和100V的硅肖特基二极管与pin二极管的比较222 65SiC肖特基二极管223 651SiC单极二极管特性223 652组合pin肖特基二极管226 653SiC肖特基和MPS二极管的开关特性和耐用性230 参考文献232 第7章双极型晶体管234 71双极型晶体管的工作原理234 72功率双极型晶体管的结构235 73功率晶体管的IV特性236 74双极型晶体管的阻断特性237 75双极型晶体管的电流增益239 76基区展宽、电场再分布和二次击穿243 77硅双极型晶体管的局限性245 78SiC双极型晶体管245 参考文献246 第8章晶闸管248 81结构与功能模型248 82晶闸管的IV特性251 83晶闸管的阻断特性252 84发射极短路点的作用253 85晶闸管的触发方式254 86触发前沿扩展255 87随动触发与放大门极256 88晶闸管关断和恢复时间258 89双向晶闸管260 810门极关断晶闸管261 811门极换流晶闸管265 参考文献268 第9章MOS晶体管及场控宽禁带器件270 91MOSFET的基本工作原理270 92功率MOSFET的结构271 93MOS晶体管的IV特性272 94MOSFET沟道的特性273 95欧姆区域276 96现代MOSFET的补偿结构277 97MOSFET特性的温度依赖性281 98MOSFET的开关特性282 99MOSFET的开关损耗286 910MOSFET的安全工作区287 911MOSFET的反并联二极管288 912SiC场效应器件292 9121SiC JFET292 9122SiC MOSFET294 9123SiC MOSFET体二极管296 913GaN横向功率晶体管297 914GaN纵向功率晶体管302 915展望303 参考文献303 第10章IGBT307 101功能模式307 102IGBT的IV特性309 103IGBT的开关特性310 104基本类型：PTIGBT和NPTIGBT312 105IGBT中的等离子体分布315 106提高载流子浓度的现代IGBT317 1061高n发射极注入比的等离子增强317 1062无闩锁元胞几何图形320 1063“空穴势垒”效应321 1064集电极端的缓冲层322 107具有双向阻断能力的IGBT324 108逆导型IGBT325 109IGBT的潜力329 参考文献332 第11章功率器件的封装335 111封装技术面临的挑战335 112封装类型336 1121饼形封装338 1122TO系列及其派生339 1123模块342 113材料的物理特性347 114热仿真和热等效电路349 1141热参数与电参数间的转换349 1142一维等效网络354 1143三维热网络356 1144瞬态热阻357 115功率模块内的寄生电学元件359 目录ⅩⅦⅩⅧ功率半导体器件——原理、特性和可靠性（原书第2版）1151寄生电阻359 1152寄生电感362 1153寄生电容365 116先进的封装技术367 1161银烧结技术368 1162扩散钎焊370 1163芯片顶部接触的先进技术371 1164改进后的衬底375 1165先进的封装理念376 参考文献379 第12章可靠性和可靠性试验383 121提高可靠性的要求383 122高温反向偏置试验385 123高温栅极应力试验388 124温度湿度偏置试验390 125高温和低温存储试验392 126温度循环和温度冲击试验393 127功率循环试验395 1271功率循环试验的实施395 1272功率循环诱发的失效机理400 1273寿命预测模型407 1274失效模式的离析410 1275功率循环的任务配置和叠加414 1276TO封装模块的功率循环能力417 1277SiC器件的功率循环418 128宇宙射线失效422 1281盐矿试验422 1282宇宙射线的由来423 1283宇宙射线失效模式426 1284基本的失效机理模型427 1285基本的设计规则429 1286考虑nn+结后的扩展模型432 1287扩展模型设计的新进展435 1288SiC器件的宇宙射线稳定性437 129可靠性试验结果的统计评估440 1210可靠性试验的展望449 参考文献450 第13章功率器件的损坏机理456 131热击穿——温度过高引起的失效456 132浪涌电流458 133过电压——电压高于阻断能力461 134动态雪崩466 1341双极型器件中的动态雪崩466 1342快速二极管中的动态雪崩467 1343具有高动态雪崩能力的二极管结构475 1344IGBT关断过程中的过电流和动态雪崩479 135超出GTO的最大关断电流481 136IGBT的短路和过电流482 1361短路类型Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ482 1362短路的热、电应力486 1363短路时的电流丝491 137IGBT电路失效分析494 参考文献496 第14章功率器件的感应振荡和电磁干扰500 141电磁干扰的频率范围500 142LC振荡502 1421并联IGBT的关断振荡502 1422阶跃二极管的关断振荡504 1423宽禁带器件的关断振荡506 143渡越时间振荡508 1431等离子体抽取渡越时间振荡509 1432动态碰撞电离渡越时间振荡515 1433动态雪崩振荡519 1434传输时间振荡的总结521 参考文献522 第15章集成电力电子系统524 151定义和基本特征524 152单片集成系统——功率IC526 153GaN单片集成系统529 154印制电路板上的系统集成531 155混合集成533 参考文献539 附录ASi与4HSiC中载流子迁移率的建模参数541 附录B复合中心及相关参数543 附录C雪崩倍增因子与有效电离率548 附录D封装技术中重要材料的热参数552 附录E封装技术中重要材料的电参数553

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现代电力电子器件原理与应用技术徐德鸿 PDF: 标签：电力电子元器件; 积分：1 类型：技术文档上传者：sigma上传时间：2023-09-20; 简介：《现代电力电子器件原理与应用技术》徐德鸿著本书力图以通俗易懂的方式，介绍电力电子器件的原理与应用技术，重点介绍了PN结原理，二极管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管、晶闸管、集成门极换向晶闸管（IGCT）的原理、特性、保护、驱动等。根据现代电力电子器件发展的特点，本书还介绍了NPT、PT、Trench结构，逆阻型IGBT等器件概念和SiC二极管、CoolMOS、同步整流器等新技术，另外结合器件的特点，介绍了相应的典型功率变换电路。本书可作为电力电子与电气传动专业及相关专业的工程技术人员和研究生的参考书，也可作为从事开关电源、变频器、逆变器、UPS等电力电子装置开发、设计工程技术人员的参考书。

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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 PDF高清带书签: 标签：半导体电子器件; 积分：1 类型：技术文档上传者：sigma上传时间：2023-09-20; 简介：《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》作者：郝跃、张金风、张进成本书内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS－HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读参考。

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碳化硅半导体材料与器件 PDF高清电子版: 标签：碳化硅半导体; 积分：1 类型：技术文档上传者：sigma上传时间：2023-09-20; 简介：《碳化硅半导体材料与器件》迈克尔·舒尔等著；杨银堂,贾护军,段宝兴译本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。

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传热学电力电子器件热管理: 标签：电力电子; 积分：1 类型：技术文档上传者：sigma上传时间：2022-01-22; 简介：《传热学:电力电子器件热管理》的目标读者为进行电力电子装置设计的电气、机械工程师，无论是否具有工程热物理和传热学知识背景，都能从《传热学:电力电子器件热管理》获益。对于电气工程、热能及动力工程相关专业的本科生或研究生，《传热学:电力电子器件热管理》的内容也足够进行一学期的学习。译者序原书前言作者简介第1章引言1 1.1半导体科技走势2 1.2与温度相关的失效6 1.2.1与温度相关的机械失效6 1.2.2与温度相关的腐蚀失效10 1.2.3与温度相关的电气失效11 1.3传热对电子设备的重要性11 1.4热设计过程12 参考文献15 第2章能量、能量传递和传热16 2.1能量和功16 2.2宏观和微观能量17 2.3能量传递和传热20 2.4状态方程21 习题22 参考文献23 第3章能量守恒定律24 3.1热力学第一定律24 3.2控制质量的能量平衡25 3.3控制体积的能量平衡30 习题36 参考文献41 第4章传热机理42 4.1导热42 4.2对流换热45 4.2.1空气对流换热的简化公式46 4.3辐射换热48 习题51 参考文献52 第5章热阻网络53 5.1热阻的概念53 5.2串联导热平壁56 5.3并联导热平壁59 5.4总热阻网络61 5.5接触热阻65 5.6热界面材料67 5.7扩散热阻69 5.8印制电路板（PCB）的热阻72 习题76 参考文献80 第6章微电子封装的热特性81 6.1封装的重要性81 6.2封装类型81 6.3微电子封装的热特性87 6.3.1结—空气热阻87 6.3.2结—壳热阻和结—板热阻89 6.3.3封装的热特性参数91 6.4封装的热阻网络91 6.5影响封装热性能的参数94 6.5.1封装尺寸94 6.5.2封装材料94 6.5.3芯片尺寸95 6.5.4器件热耗散量96 6.5.5气流速度97 6.5.6板的尺寸和导热系数98 习题98 参考文献100 第7章翅片与散热器101 7.1翅片方程101 7.1.1无限长翅片103 7.1.2翅顶绝热105 7.1.3翅顶的对流和辐射105 7.1.4翅顶为恒定温度107 7.2翅片热阻、功效和效率111 7.3变截面翅片116 7.4散热器的热阻、功效和效率119 7.5散热器的制造工艺127 习题131 参考文献134 第8章热传导理论135 8.1通过平壁的一维导热方程137 8.2导热方程的一般形式139 8.3边界和初始条件141 8.3.1温度边界条件142 8.3.2热流边界条件143 8.3.3对流边界条件144 8.3.4辐射边界条件145 8.3.5综合边界条件146 8.3.6界面边界条件146 8.4稳态导热148 8.4.1一维稳态导热148 8.4.2二维稳态导热150 8.5非稳态导热152 8.6集总系统153 8.6.1简单集总系统分析154 8.6.2一般集总系统分析154 8.6.3集总系统分析法的适用范围157 习题158 参考文献162 第9章对流传热基础163 9.1流动类型163 9.1.1外部流动和内部流动163 9.1.2强制对流和自然对流流动163 9.1.3层流和湍流164 9.1.4稳态和非稳态流动166 9.2粘性力、速度边界层和摩擦系数166 9.3热边界层和对流传热系数168 9.4守恒方程169 9.5边界层方程170 参考文献170 第10章强制对流换热：外部流动171 10.1归一化的边界层方程171 10.2雷诺数、普朗特数、爱克特数和努塞特数172 10.3局部摩擦系数和对流传热系数的函数形式174 10.4流体外掠平板流动176 10.4.1流过等温平板的层流177 10.4.2流过等温平板的湍流182 10.4.3流过等热流密度平板的流动184 10.5圆柱绕流185 10.6圆柱针翅式散热器190 10.7解决外部强制对流问题的步骤192 习题193 参考文献197 第11章强制对流换热：内部流动198 11.1平均速度与平均温度198 11.2管内层流与湍流200 11.3入口段长度和充分发展段流动200 11.4内部流动的泵送功率和对流换热201 11.5速度分布与摩擦因子关联式205 11.6温度分布和对流换热关联式208 11.7风机和泵211 11.7.1风机的种类211 11.7.2风机曲线和系统阻力曲线213 11.7.3风机选型215 11.7.4泵的种类218 11.8板翅式散热器220 习题221 参考文献223 第12章自然对流换热225 12.1浮力和自然对流225 12.2自然对流的速度和温度边界层227 12.3无量纲化自然对流边界层方程228 12.3.1格拉晓夫（GRASHOF）数和瑞利（RAYLEIGH）数229 12.3.2对流换热系数的函数形式230 12.4外掠竖直平板自然对流的层流和湍流流动231 12.5外掠倾斜和水平平板的自然对流234 12.6外掠竖直和水平圆柱体的自然对流237 12.7机箱内的自然对流238 12.8竖直阵列平板间的自然对流243 12.9混合对流245 习题246 参考文献249 第13章辐射传热250 13.1辐射强度和辐射力251 13.2黑体辐射253 13.3表面辐射特性255 13.3.1表面辐射率255 13.3.2表面吸收率257 13.3.3表面反射率258 13.3.4表面透射率258 13.3.5基尔霍夫定律259 13.4太阳和大气辐射260 13.5辐射通量密度263 13.6角系数264 13.7黑体之间的辐射传热266 13.8非黑体之间的辐射传热267 13.9板翅式散热器的辐射传热268 习题273 参考文献274 第14章计算机模拟和热设计275 14.1传热和流动方程总结275 14.2计算机模拟基础277 14.2.1一维稳态导热277 14.2.2二维稳态导热279 14.2.3瞬态导热281 14.2.4流动及能量方程284 14.3湍流流动291 14.4有限差分方程的求解297 14.5商业热模拟工具298 14.5.1建立热模型298 14.5.2生成网格306 14.5.3求解流动和温度方程307 14.5.4查看结果309 14.5.5结果显示310 14.6建模与仿真在热设计中的重要性311 参考文献312 第15章实验技术及热设计313 15.1流量测量技术313 15.2系统阻力测量318 15.3泵和风机性能曲线测试319 15.4速度测量方法321 15.5温度测量技术324 15.6噪声测量328 15.7热设计中实验测量的重要性329 参考文献330 第16章先进冷却技术331 16.1热管331 16.1.1毛细极限332 16.1.2沸腾极限334 16.1.3声速极限335 16.1.4携带极限335 16.1.5热管的其他性能极限335 16.1.6电子冷却中的热管应用337 16.1.7热管的选择和模型339 16.1.8热虹吸管、回路热管和均热板343 16.2液体冷却346 16.3热电冷却器351 16.4电流体流动354 16.5合成射流355 参考文献358 附录材料性质359 参考文献373

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TI_Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits: 标签：电子; 积分：1 类型：学术论文上传者：jasionla上传时间：2019-02-26; 简介：TI_Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits

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